SSD M.2 2280 Samsung 990 Evo Plus 2TB TLC V-NAND NVMe PCIe Gen 5



REFERÊNCIA: MZ-V9S2T0BW | EAN: 8806095575650

O SSD Samsung 990 EVO Plus é uma solução de armazenamento de alto desempenho concebida para utilizadores que exigem rapidez e fiabilidade no seu dia a dia. Com velocidades de leitura até 7.250MB/s e escrita até 6.300MB/s, graças à memória V-NAND TLC de 8ª geração e interface PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2, este SSD permite transferências ultra-rápidas e processamento eficiente de ficheiros pesados. Inclui funcionalidades avançadas como encriptação AES de 256 bits e suporte TCG/Opal, bem como uma excelente eficiência térmica com controlador revestido a níquel. O software Samsung Magician otimiza e mantém o desempenho da unidade ao mais alto nível.



Capacidade
2 TB

Interface
PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0

Formato
M.2 (2280)

Memória Flash
Samsung V-NAND TLC (8ª geração)

Controlador
Samsung in-house Controller

Cache
HMB (Host Memory Buffer)

Velocidade de Leitura Sequencial
Até 7.250 MB/s

Velocidade de Escrita Sequencial
Até 6.300 MB/s

Leitura Aleatória (4KB, QD32)
Até 1.000.000 IOPS

Escrita Aleatória (4KB, QD32)
Até 1.350.000 IOPS

Criptografia
AES de 256 bits, TCG/Opal 2.0, MS eDrive

Dimensões
80.15 x 22.15 x 2.38 mm

Resistência (TBW)
600 TBW

SSD M.2 2280 Samsung 990 Evo Plus 2TB TLC V-NAND NVMe PCIe Gen 5


149.90€
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DETALHES DO PRODUTO:
REFERÊNCIA: MZ-V9S2T0BW
EAN: 8806095575650

O SSD Samsung 990 EVO Plus é uma solução de armazenamento de alto desempenho concebida para utilizadores que exigem rapidez e fiabilidade no seu dia a dia. Com velocidades de leitura até 7.250MB/s e escrita até 6.300MB/s, graças à memória V-NAND TLC de 8ª geração e interface PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2, este SSD permite transferências ultra-rápidas e processamento eficiente de ficheiros pesados. Inclui funcionalidades avançadas como encriptação AES de 256 bits e suporte TCG/Opal, bem como uma excelente eficiência térmica com controlador revestido a níquel. O software Samsung Magician otimiza e mantém o desempenho da unidade ao mais alto nível.



Capacidade
2 TB

Interface
PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0

Formato
M.2 (2280)

Memória Flash
Samsung V-NAND TLC (8ª geração)

Controlador
Samsung in-house Controller

Cache
HMB (Host Memory Buffer)

Velocidade de Leitura Sequencial
Até 7.250 MB/s

Velocidade de Escrita Sequencial
Até 6.300 MB/s

Leitura Aleatória (4KB, QD32)
Até 1.000.000 IOPS

Escrita Aleatória (4KB, QD32)
Até 1.350.000 IOPS

Criptografia
AES de 256 bits, TCG/Opal 2.0, MS eDrive

Dimensões
80.15 x 22.15 x 2.38 mm

Resistência (TBW)
600 TBW